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IS61DDB22M36-300M3

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61DDB22M36-300M3L

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61DDB22M36-300M3LI

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IS61DDB22M36-300M3

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36M(1Mx36) 300MHz Commercial Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問時間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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ISSI Integrated Silicon Soluti
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更多IS61DDB22M36-300M3供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 11:00:00