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IS43TR16640B集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS43TR16640B
廠商型號

IS43TR16640B

參數(shù)屬性

IS43TR16640B 封裝/外殼為96-TFBGA;包裝為散裝;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

功能描述

Programmable CAS Latency

封裝外殼

96-TFBGA

文件大小

3.89952 Mbytes

頁面數(shù)量

88

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-22 18:05:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43TR16640B-093NBL-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    散裝

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3

  • 存儲容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

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