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IS43TR16256AL-107MBL

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256AL-107MBL

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:96-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256AL-107MBLI

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256AL-107MBLI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:96-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256AL-107MBL-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:96-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43TR16256AL-107MBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3L

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Gb(256M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多IS43TR16256AL-107MBL供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-9 8:02:00