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IS43R32800B-6BL集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS43R32800B-6BL
廠商型號

IS43R32800B-6BL

參數(shù)屬性

IS43R32800B-6BL 封裝/外殼為144-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

功能描述

Differential clock input
IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

文件大小

556.12 Kbytes

頁面數(shù)量

39

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-9 10:30:00

IS43R32800B-6BL規(guī)格書詳情

IS43R32800B-6BL屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS43R32800B-6BL存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS43R32800B-6BL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR

  • 存儲容量:

    256Mb(8M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    144-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    144-迷你型BGA(12x12)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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