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IS43R16160D-6BLI集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IS43R16160D-6BLI |
參數(shù)屬性 | IS43R16160D-6BLI 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
功能描述 | 8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM |
文件大小 |
1.09708 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
32 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-9 10:18:00 |
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IS43R16160D-6BLI屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS43R16160D-6BLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IS43R16160D-6BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR
- 存儲(chǔ)容量:
256Mb(16M x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
15ns
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
60-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
60-TFBGA(8x13)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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