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IS43LR32800G-6BLI

2M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR32800G-6BLI

包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：90-TFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR32800G-6BLI-TR

包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：90-TFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR32800G-6BL

2Mx32Bitsx4BanksMobileDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43LR32800G-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動(dòng) LPDDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Mb（8M x 32）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS43LR32800G-6BLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 15:37:00

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