IS43LQ32128A-062TBLI_集成電路(IC) 存儲器-北京矽成

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IS43LQ32128A-062TBLI品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

IS43LQ32128A-062TBLI是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝200-TFBGA的IS43LQ32128A-062TBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is43lq32128a-062tbli

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明:

    IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43LQ32128A-062TBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存儲容量:

    4Gb(128M x 32)

  • 存儲器接口:

    LVSTL

  • 電壓 - 供電:

    1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    200-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    200-TFBGA(10x14.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI, Integrated Silicon Solut
23+
200-TFBGA
3600
原裝正品 正規(guī)報關(guān) 可開增值稅票
詢價
ISSI Integrated Silicon Soluti
23+/24+
200-TFBGA
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
NA
11200
正品專賣,進(jìn)口原裝深圳現(xiàn)貨
詢價
ISSI,
21+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
詢價
ISSI
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
ISSI
2026+
BGA
10
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ISSI
BGA
6000
原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng),終端可賬期
詢價
ISSI
23+
200-TFBGA
5013
確保原裝正品,專注終端客戶一站式BOM配單
詢價
ISSI Integrated Silicon Solut
24+
200-TFBGA
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
詢價
ISSI
23+
BGA
4500
ISSI存儲芯片在售
詢價