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IS43LD16640C-25BLI_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-北京矽成

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原廠料號(hào)：IS43LD16640C-25BLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

IS43LD16640C-25BLI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝134-TFBGA的IS43LD16640C-25BLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    is43ld16640c-25bli

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43LD16640C-25BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.14V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    134-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    134-TFBGA（10x11.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ISSI(美國芯成)
23+
BGA134
12000
原裝現(xiàn)貨,直供終端工廠
 詢價(jià)
ISSI/矽成
21+
SOP
7000
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
ISSI
2018+
SMD
15600
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器1G64Mx16400MHzLPDDR21.2/1.8V
 詢價(jià)
ISSI
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價(jià)
ISSI/矽成
1649
LPDDR2MOBILE/64MX16LPDDR
62
原裝香港現(xiàn)貨真實(shí)庫存。低價(jià)
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
4-XFBGA,WLCSP
5280
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
134-TFBGA(10x11.5)
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ISSI
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