首頁>IS43LD16160B-25BLI>詳情

IS43LD16160B-25BLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS43LD16160B-25BLI參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IS43LD16160B-25BLI品牌：ISSI(美國芯成)

現貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!

IS43LD16160B-25BLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI(美國芯成)/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產封裝TFBGA134(10x11.5)/134-TFBGA的IS43LD16160B-25BLI存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS43LD16160B-25BLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導體有限公司

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    IS43LD16160B-25BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

  • 存儲容量：

    256Mb（16M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    134-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    134-TFBGA（10x11.5）

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    肖冠

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

相近型號