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IS43DR81280B-3DBLI_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-北京矽成

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原廠料號(hào)：IS43DR81280B-3DBLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

IS43DR81280B-3DBLI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝60-TFBGA的IS43DR81280B-3DBLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    is43dr81280b-3dbli

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43DR81280B-3DBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TWBGA（8x10.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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