IS43DR16320E-3DBLI_集成電路(IC) 存儲器-北京矽成

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IS43DR16320E-3DBLI品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

IS43DR16320E-3DBLI是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝84-TFBGA的IS43DR16320E-3DBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is43dr16320e-3dbli

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導體有限公司

  • 資料說明:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43DR16320E-3DBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    84-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    84-TWBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
23+
BGA-84
3685
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
詢價
ISSI/矽成
21+
SOP
7000
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
詢價
ISSI
1728+
?
8450
只做原裝進口,假一罰十
詢價
ISSI
1844+
BGA84
6528
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
1517-BBGA,FCBGA
250
進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
84-TWBGA(8x12.5)
56200
一級代理/放心采購
詢價
ISSI
1931+
N/A
493
加我qq或微信,了解更多詳細信息,體驗一站式購物
詢價
ISSI
2021+
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
ISSI
20+
BGA-84
932
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
詢價
ISSI,
21+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
詢價