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IS42S32800G-6BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BL

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BL-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6B

256MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BI

256MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S32800G-6BL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    256Mb(8M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

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更多IS42S32800G-6BL供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 10:12:00