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IS42S32400B-6BL-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：90-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32400B-6B

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,125,100MHz ?Fullys

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IS42S32400B-6BL

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

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IS42S32400B-6T

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

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IS42S32400B-6TI

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32400B-6TL

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

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IS42S32400B-6TLI

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,125,100MHz ?Fullys

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S32400B-6BL-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    128Mb（4M x 32）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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更多IS42S32400B-6BL-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 16:30:00

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