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IS42S32200E-6BI

512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-6BI

包裝:托盤 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-6BI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-6B

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S32200E-6BL

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S32200E-6BLI

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-6TL

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-6TLI

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S32200E-6BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM

  • 存儲容量:

    64Mb(2M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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