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IS42S32200C1-7BI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS42S32200C1-7BI
廠商型號

IS42S32200C1-7BI

參數(shù)屬性

IS42S32200C1-7BI 封裝/外殼為90-LFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90BGA

功能描述

512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90BGA

文件大小

608.22 Kbytes

頁面數(shù)量

59

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-19 8:19:00

IS42S32200C1-7BI規(guī)格書詳情

IS42S32200C1-7BI屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導體有限公司制造生產(chǎn)的IS42S32200C1-7BI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S32200C1-7BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM

  • 存儲容量:

    64Mb(2M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-LFBGA

  • 供應商器件封裝:

    90-BGA(13x8)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90BGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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