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IS42S16800E-6BLI 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

IS42S16800E-6BLI參考圖片

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原廠料號(hào)：IS42S16800E-6BLI品牌：ISSI

只做原裝進(jìn)口,假一罰十

IS42S16800E-6BLI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝?/54-TFBGA的IS42S16800E-6BLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    IS42S16800E-6BLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    61 頁(yè)

  • 文件大小：

    934.55 kb

  • 資料說(shuō)明：

    16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S16800E-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    128Mb（8M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-TFBGA（8x8）

  • 描述：

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市海天鴻電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉遠(yuǎn)俊、彭小姐

  • 手機(jī)：

    15013509499

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82552857-809(分機(jī))

  • 傳真：

    0755-82552837

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

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