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IS42S16400D-7BLI

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7BLI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:60-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7BLI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:60-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7BL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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IS42S16400D-7T

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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IS42S16400D-7TI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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IS42S16400D-7TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16400D-7BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-迷你型BGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI/矽成
21+
SOP
7000
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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納立只做原裝正品13590203865
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更多IS42S16400D-7BLI供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 14:00:00