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IS42S16320B-6TL-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16320B-6BL

64Mx8,32Mx16512MbSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs512MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The512MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,133MHz ?Fullysynchronous;

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16320B-6BLI

64Mx8,32Mx16512MbSYNCHRONOUSDRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16320B-6TL

64Mx8,32Mx16512MbSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs512MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The512MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,133MHz ?Fullysynchronous;

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16320B-6TLI

64Mx8,32Mx16512MbSYNCHRONOUSDRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16320B-6TL-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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