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IS42S16160J集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IS42S16160J |
| 參數(shù)屬性 | IS42S16160J 封裝/外殼為54-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
| 功能描述 | 256Mb SYNCHRONOUS DRAM |
| 文件大小 |
1.23822 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
63 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-18 19:09:00 |
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IS42S16160J屬于集成電路（IC） > 存儲器。北京矽成半導體有限公司制造生產(chǎn)的IS42S16160J存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IS42S16160J-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM
- 存儲容量：
256Mb（16M x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
54-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
54-TFBGA（8x8）
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
1844+ |
TSOP54 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價 | ||||
ISSI |
23+ |
BGA54 |
30000 |
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詢價 | ||
ISSI |
2052+ |
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ISSI |
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ISSI |
2021+ |
TSOP |
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詢價 | ||
ISSI |
21+ |
BGA54 |
10000 |
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ISSI |
20+ |
TSOP54 |
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詢價 | ||
ISSI |
21+ |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | |||
ISSI |
20+ |
TSOP54 |
4320 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
