首頁(yè) >IS42RM32160E-75BL>規(guī)格書(shū)列表
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IS42RM32160E-75BL | 包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI | |
4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI | ||
包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI | ||
包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:90-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS42RM32160E-75BL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - 移動(dòng)
- 存儲(chǔ)容量:
512Mb(16M x 32)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 3V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
90-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
90-TFBGA(8x13)
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國(guó)芯成) |
2022+原裝正品 |
TFBGA-90(8x13) |
18000 |
支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨 |
詢價(jià) | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
60-TFBGA |
5280 |
進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
詢價(jià) | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
90-TFBGA(8x13) |
56200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
ISSI(美國(guó)芯成) |
1921+ |
TFBGA-90(8x13) |
3575 |
向鴻倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)絕對(duì)的原裝! |
詢價(jià) | ||
ISSI |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價(jià) | ||
ISSI(美國(guó)芯成) |
2117+ |
TFBGA-90(8x13) |
315000 |
240個(gè)/托盤(pán)一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng) |
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ISSI |
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BGA-90 |
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ISSI(美國(guó)芯成) |
2021+ |
TFBGA-90(8x13) |
499 |
詢價(jià) | |||
ISSI(美國(guó)芯成) |
23+ |
TFBGA90(8x13) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
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