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IS41LV16256B-35K中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS41LV16256B-35K
廠商型號

IS41LV16256B-35K

功能描述

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

145.87 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-18 18:15:00

IS41LV16256B-35K規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS41LV16256B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16256B ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval: 512 cycles/8 ms

? Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply: 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS41LV16256B-35K

  • 功能描述:

    動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    16 bit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 封裝/箱體:

    SOJ-42

  • 存儲容量:

    16 MB

  • 訪問時間:

    50 ns

  • 電源電壓-最大:

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流:

    90 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
ROHS+Original
NA
10
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈/QQ 350053121 /正納電子
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23+
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10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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16500
進口原裝正品現(xiàn)貨
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