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ISGM2051

IGBTModules

FEATURES ·HighDCStability ·HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ·LowSwitchingLosses ·UnbeatableRobustness ·VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·MotorDrives ·ResonantInverterAppliccations ·TractionDrives ·UPSSystems ·WindTurbines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KIA2051FN

BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(AMPULSENOISEREDUCTION)

BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT AMPULSENOISEREDUCTION

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

LTC2051

DualZero-DriftOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC2051

30MHz,240關APowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC2051

Dual/QuadZero-DriftOperationalAmplifiers

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC2051

1.3MHz,20關APowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC2051

HighVoltage,High-SideCurrentSense

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LTC2051

36V,LowNoise,ZeroDriftOpAmp

FEATURES Supplyvoltagerange:4.5Vto36V Offsetvoltage:±4μVmaximumat5V Offsetvoltagedrift:0.01μV/°Cmaximumat5V Inputnoise Voltage:88nVp-pfrom0.1Hzto10Hztypical Spectraldensityvoltage:4.2nV/√Hztypicalat1kHz Rail-to-railoutput Unity-gainstable GBP:5

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

LTC2051

Zero-DriftOperationalAmplifiersinSOT-23

FEATURES APPLICATIONS nnMaximumOffsetVoltageof3μV nnMaximumOffsetVoltageDriftof30nV/°C nnNoise:1.5μVP-P(0.01Hzto10HzTyp) nnVoltageGain:140dB(Typ) nnPSRR:130dB(Typ) nnCMRR:130dB(Typ) nnSupplyCurrent:0.8mA(Typ) nnSupplyOperation nnLTC2050:2.7Vto6V nnL

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

LTC2051

2μASupplyCurrent,LowIB,Zero-DriftOperationalAmplifiers

FEATURES APPLICATIONS nLowSupplyCurrent:2μAMaximum(perAmplifier) nOffsetVoltage:5μVMaximum nOffsetVoltageDrift:0.02μV/°CMaximum nInputBiasCurrent: n3pATypical n30pAMaximum,–40°Cto85°C n100pAMaximum,–40°Cto125°C nIntegratedEMIFilter(114dBRejectionat1.8

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

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更多IRPT2051A供應商 更新時間2025-3-22 16:30:00

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