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IRLML6346中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRLML6346
廠商型號(hào)

IRLML6346

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

2.52748 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

LEIDITECH雷卯電子

中文名稱(chēng)

上海雷卯電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 20:00:00

IRLML6346規(guī)格書(shū)詳情

Description

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

The IRLML6346 uses advanced trench technology

General Features

VDS = 30V ID =4.2A

RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=10V

Application

Lithium battery protection Wireless impact

Mobile phone fast charging

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLML6346

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR(國(guó)際整流器)
23+
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SOT-23
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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