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IRLR120NTRPBF	文件：299.66 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRLR120N) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120NTRPBF	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR120PBF	文件：1.81612 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120PBF	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR120TRL	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR120TRLPBF	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR120TRRPBF	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLRSLASHU120NPBF	文件：299.66 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRLR120N) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLRU120A	文件：225.82 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLRU120N	文件：173.96 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.185ohm,Id=10A)	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRLM120A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRLM120A	ON/安森美	24+	SOT-223	505274	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRLM120A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳宇航軍工半導體有限公司	IRLM120A	FAIRCHILD	19+	SOT-223	75210	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRLM120A	FAIRCHILD	20+	SOT-223	43000	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
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深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRLM120A	FAIRCHILD	08+		7000	普通	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	IRLM120A	FAIRCHILDRCHILD	2447	SOT223	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
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深圳市威爾健半導體有限公司	IRLM120A	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多IRLM120A供應商更新時間2025-3-28 17:06:00

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