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IRLI620	文件：339.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620G	文件：339.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620G	文件：1.23242 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI620GPBF	文件：1.41579 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620GPBF	文件：1.23242 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI620A	文件：273.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLS620A	文件：255.21 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.8Ω ID=4.1A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLS620A	文件：264.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLW620A	文件：361.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLWI620A	文件：222.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLI620
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRLI620	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRLI620A	仙童	06+	TO-262	2500	原裝庫存	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRLI620G	IR	23+	TO-220F	35890		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRLI620GPBF	VISHAY	23+	TO220	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRLI620G	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRLI620G	IR	24+	TO-220FullPak(Iso)	8866		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRLI620G	IR	1816+	TO-220F	6523	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	IRLI620G	IR	18+	TO-220F	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRLI620GPBF	vishay	20+	na	65790	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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