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IRL620中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRL620
廠商型號

IRL620
功能描述

Power MOSFET
文件大小

2.03127 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-10-26 22:59:00

IRL620規(guī)格書詳情

VDS (V) 200

RDS(on) (Ω) VGS = 5.0 V 0.80

Qg (Max.) (nC) 16

Qgs (nC) 2.7

Qgd (nC) 9.6

Configuration Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Logic-Level Gate Drive

? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

? Fast Switching

? Ease of paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產品屬性

  • 型號：

    IRL620

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
21+
TO-263
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原裝現(xiàn)貨庫存
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