IRL3215中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL3215規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? Dynamic dv/dt Rating
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3215
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-220 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
27500 |
原裝正品,價格最低! |
詢價 | ||
IRMEX |
24+ |
NA/ |
325 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
1351+ |
TO220 |
11036 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
TO-220 |
12500 |
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配 |
詢價 | ||
IR |
08+ |
TO-220 |
4779 |
詢價 |
