IRL2910L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRL2910L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
11 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
TO-262 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
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IR |
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
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TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ir |
06+ |
TO-262 |
15000 |
原裝庫(kù)存 |
詢價(jià) |
