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IRGS4B60KD1PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRGS4B60KD1PBF
廠商型號

IRGS4B60KD1PBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

442.69 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-12 9:00:00

IRGS4B60KD1PBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRGS4B60KD1PBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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2022+
D2PAK
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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24+
500000
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D2PAK
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