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IRGP4065DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4065DPBF
廠商型號

IRGP4065DPBF

參數(shù)屬性

IRGP4065DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 70A 160W TO247AC

功能描述

PDP TRENCH IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

344.59 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 8:24:00

IRGP4065DPBF規(guī)格書詳情

Description

This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP applications.

Features

● Advanced Trench IGBT Technology

● Optimized for Sustain and Energy Recovery Circuits in PDP Applications

● Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) for Improved Panel Efficiency

● High Repetitive Peak Current Capability

● Lead Free Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP4065DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,70A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/170ns

  • 測試條件:

    180V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 300V 70A 160W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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