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IRGP30B60KD-EP分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP30B60KD-EP
廠商型號

IRGP30B60KD-EP
參數(shù)屬性

IRGP30B60KD-EP 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 304W TO247AD
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
文件大小

276.23 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-24 20:00:00

IRGP30B60KD-EP規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? TO-247AD Package

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGP30B60KD-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），825μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    46ns/185ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 304W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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