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IRGBF20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRF

International Rectifier

IRGBF20F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRGBF20F

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT FAST 900V 20A TO-220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產品屬性

  • 產品編號：

    IRGBF20F

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4.3V @ 15V，5.3A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT FAST 900V 20A TO-220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRGBF20F供應商 更新時間2024-11-8 19:10:00

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