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IRGB8B60K 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGB8B60K參考圖片

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原廠料號：IRGB8B60K品牌：INFINEON/IR

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IRGB8B60K是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/IR/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的IRGB8B60K晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRGB8B60K

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    468.97 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGB8B60KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    160μJ（開），160μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/140ns

  • 測試條件：

    400V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 28A 167W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    18138401919

  • 詢價：
  • 電話：

    18138401919

  • 傳真：

    086-0755-23996005

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園4棟中

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