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IRG8P60N120KD-EPBF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRG8P60N120KD-EPBF參考圖片

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原廠料號：IRG8P60N120KD-EPBF品牌：Infineon Technologies

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IRG8P60N120KD-EPBF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝原裝/TO-247-3的IRG8P60N120KD-EPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRG8P60N120KD-EPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG8P60N120KD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    2.8mJ（開），2.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/240ns

  • 測試條件：

    600V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 100A TO247AD

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市億智騰科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/王小姐

  • 手機：

    17377264928

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83226012

  • 傳真：

    0755-83226012

  • 地址：

    福田區(qū)華強北街道振興南路華勻大廈1棟4樓412A

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