IRG4PH50K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRG4PH50K |
參數(shù)屬性 | IRG4PH50K 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
92.62 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-31 23:00:00 |
IRG4PH50K規(guī)格書詳情
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
●High short circuit rating optimized for motor control, tsc=10μs, VCC = 720V, TJ= 125°C, VGE= 15V
●Combines low conduction losses with high switching speed
●Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
Benefits
●As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI/Noise and switching losses in the Diode and IGBT
●Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
●This part replaces the IRGPH50K and IRGPH50M devices
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4PH50KPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,24A
- 開關(guān)能量:
1.21mJ(開),2.25mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
36ns/200ns
- 測試條件:
960V,24A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
23+ |
NA/ |
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TO-247(AC) |
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IR |
01+ |
TO-247 |
763 |
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