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IRG4PH30中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRG4PH30
廠商型號(hào)

IRG4PH30

參數(shù)屬性

IRG4PH30 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

文件大小

161.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 15:28:00

IRG4PH30規(guī)格書詳情

Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, VCC = 720V , TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

? This part replaces the IRGPH30K and IRGPH30M

devices

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PH30KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    4.2V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    950μJ(開),1.15mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    39ns/220ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,10A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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