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IRG4IBC20WPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRG4IBC20WPBF |
參數(shù)屬性 | IRG4IBC20WPBF 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 12A 34W TO220FP |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
215.24 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-11 16:36:00 |
人工找貨 | IRG4IBC20WPBF價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG4IBC20WPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,6.5A
- 開(kāi)關(guān)能量:
60μJ(開(kāi)),80μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
22ns/110ns
- 測(cè)試條件:
480V,6.5A,50 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 12A 34W TO220FP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
52 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
563 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
1923+ |
TO-220 |
5000 |
正品原裝品質(zhì)假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
11+ |
TO-220F |
52 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) |