IRG4BC40U分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC40U |
| 參數屬性 | IRG4BC40U 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 40A 160W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
169.87 Kbytes |
| 頁面數量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-3 22:59:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC40U價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
IRG4BC40U規(guī)格書詳情
Features
? UltraFast: optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產品屬性
- 產品編號：
IRG4BC40U
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，20A
- 開關能量：
320μJ（開），350μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
34ns/110ns
- 測試條件：
480V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 40A 160W TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-220 |
942 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
180 |
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詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-220 |
8000 |
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IR |
97+ |
TO-220 |
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IR |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原裝正品 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
23+ |
TO220 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
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