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IRG4BC30KDS
廠商型號(hào)

IRG4BC30KDS

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

文件大小

225.23 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-8 12:12:00

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IRG4BC30KDS規(guī)格書詳情

Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses

? This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products

? For hints see design tip 97003

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC30KDS

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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