IRFZ46NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFZ46NS規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount(IRFZ46NS)
? Low-profile through-hole(IRFZ46NL)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFZ46NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
85 |
MOSFET |
詢價(jià) | ||
INFINEON/IR |
NA |
8600 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價(jià) | |||
INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
36688 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
IR |
TO-263 |
68500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) | |||
NA |
19+ |
75117 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
英飛凌 |
21+ |
D2PAK |
6000 |
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
05+ |
TO-263 |
30000 |
全新原裝 絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) |
