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IRFZ24NL

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRF

International Rectifier

IRFZ24NL

Power MOSFET

PowerMOSFETVDSS=55V,RDS(on)=0.07mohm,ID=17A

TEL

TRANSYS Electronics Limited

IRFZ24NL

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFZ24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFZ24NLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-262(DPAK)packaging ?Surfacemount ?Highspeedswitching ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFZ24NL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 17A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
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全新原裝現(xiàn)貨
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TO-262
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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 詢價(jià)
更多IRFZ24NL供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 11:04:00

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