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IRFU9N20D

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)

SMPSMOSFET Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU9N20D

SMPS MOSFET

SMPSMOSFET Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU9N20D

isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFU9N20DPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFU9N20DPBF

SMPS MOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

LM9N20LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LM9N20LF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LM9N20LF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LM9N20LP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LM9N20LP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFU9N20D

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO-251
35890
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NA
8800
原裝現(xiàn)貨,貨真價優(yōu)
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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TO-251
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絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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更多IRFU9N20D供應商 更新時間2025-4-13 15:52:00

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