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IRFU3410PBF	文件：228.12 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3410PBF	文件：3.85436 Mbytes Page：10 Pages	High frequency DC-DC converters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3410PBF	文件：237.27 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3410PBF	文件：237.27 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3410PBF	文件：3.8536 Mbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3410PBF	文件：1.97081 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR3410	文件：158.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3410	文件：335.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLR3410	文件：261.839 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
IRLR3410	文件：388.28 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRLR3410PBF	文件：290.17 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3410PBF	文件：291.13 Kbytes Page：11 Pages	LogicLevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3410TR	文件：468.78 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRLR3410TR	文件：388.28 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRLR3410TRPBF	文件：291.13 Kbytes Page：11 Pages	LogicLevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3410TRPBF	文件：979.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLRU3410	文件：167.06 Kbytes Page：10 Pages	LogicLevelGateDrive/FullyAvalancheRated	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3410	文件：158.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3410	文件：247.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLU3410	文件：921.5 Kbytes Page：10 Pages	LogicLevelGateDrive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRFU3410PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市安博威科技有限公司	IRFU3410PBF	INFINEON/IR	15+	I-PAK (TO-251)	1125		詢價
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRFU3410PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	1125	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRFU3410PBF	Infineon Technologies	24+	IPAK(TO-251AA)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	IRFU3410PBF	INFINEON/IR	21+	NA	1125	只做原裝,假一罰十	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFU3410PBF	IR	24+	TO-251	45	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	IRFU3410PBF	INFINEON/IR	15+		1125	I-PAK (TO-251)	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFU3410PBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-251	7845	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	IRFU3410PBF	IR	24+	N/A	8000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售	詢價
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司	IRFU3410PBF	IR	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFU3410PBF	IR	23+	I-PAK	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價

更多IRFU3410PBF供應商更新時間2024-12-23 10:01:00

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