亚洲AV乱码一区二区三区,国产欧美日韩精品视频

首頁(yè) >IRFS9N60ATRRPBF>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFS9N60ATRRPBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS9N60ATRRPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60A	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60APBF	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
MDF9N60	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60B	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60BTH	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDF9N60BTH	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：323.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP9N60	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：332.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTN9N60BFP	文件：461.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PHB9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB9N60E	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP9N60E	文件：1.10597 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
PHP9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

12 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFS9N60ATRRPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	2020+	原廠封裝	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	Vishay	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	2023+	TO-263	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	21+	TO-263	35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	14+PBF	TO-263	18000	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	VISHAY	1809+	TO-263	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	VISHAY/威世	23+	D2PAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFS9N60ATRRPBF	IR	21+	TO-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)

更多IRFS9N60ATRRPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 19:09:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存