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IRFR5410PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFR5410PBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
264.04 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-26 14:14:00 |
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IRFR5410PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel
● Surface Mount (IRFR5410)
● Straight Lead (IRFU5410)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR5410PBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
75 |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長期供貨。 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
13+ |
TO252 |
177 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
IR |
2021+ |
TO-252 |
3500 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
3051 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) |
