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IRFS430	文件：265.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430A	文件：315.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430A	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430A	文件：267.41 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamic dV/dtruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU430APBF	文件：298.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU430APBF	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU430APBF	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFU430APBF	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430APBF	文件：2.0416 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU430APBF	文件：267.4 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU430B	文件：674.37 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFY430	文件：18.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY430C	文件：14.79 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage.	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR430BTF
功能描述：
MOSFET 500V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFR430BTF	FAIRCHILD/仙童	24+	D-PAK	4300	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFR430BTF	onsemi(安森美)	23+	TO-252	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRFR430BTF	FSC	17+	TO-252	6200		詢價
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRFR430BTF	fsc	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票	詢價
深圳宇航軍工半導體有限公司	IRFR430BTF	FSC	19+	D-pak	75027	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	IRFR430BTF	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢	詢價
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深圳市正邁科技有限公司	IRFR430BTF	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	49950	原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢庫存	詢價
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