首頁 >IRFR18N15DTRR>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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SMPSMOSFET Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits 1.LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses 2.FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) 3.FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent | IRF International Rectifier | IRF | ||
SMPSMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SMPSMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
SMPSMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-ChMOSFET | WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體(深圳)有限公司 | WIINSOK | ||
Ring-TongueTerminal;22-16AWG;3/8Stud;1.19inL;.53inW;Multi-FingerInsulationGrip;600Volts | HUBBELL HUBBELL INCORPORATED | HUBBELL |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
IRFR18N15DTRR
- 功能描述:
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
D-Pak |
19889 |
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D-Pak |
19526 |
詢價 | |||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
3051 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
17+ |
DPAK |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
6000 |
面議 |
19 |
DPAK |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
DPAK |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
IR |
1709+ |
DPAK |
25300 |
普通 |
詢價 |
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