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IRFP9140N

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.117Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand rel

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP9140N

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP9140N

isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP9140NPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP9140NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFP9140NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFP9140PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP9140PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFP9140PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFS9140

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFP9140N

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
專(zhuān)業(yè)軍工
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絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢(xún)購(gòu)!
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！
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TO-247
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶(hù)至上/歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún)
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797
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRFP9140N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-17 15:55:00

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