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IRFP4110

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRFP4110

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP4110PBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS100V RDS(on)typ.3.7m? max.4.5m? ID(SiliconLimited)180A ID(PackageLimited)120A Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Aplications

IRF

International Rectifier

IRFP4110PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

IRF

International Rectifier

IRFP4110PBF_15

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

IRF

International Rectifier

IRHF4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE

IRF

International Rectifier

IRHG4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)

IRF

International Rectifier

IRHQ4110

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-28)

IRF

International Rectifier

IRKH4110A

THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR

IRF

International Rectifier

IRKL4110A

THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFP4110

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFP4110供應商 更新時間2025-3-31 13:48:00

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