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IRFIBE20G中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFIBE20G
廠商型號(hào)

IRFIBE20G

功能描述

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件大小

319.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 23:00:00

IRFIBE20G規(guī)格書(shū)詳情

? DESCRITION

? Switching Voltage Regulators

? FEATURES

? Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =6.5? (MAX)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFIBE20G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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